FETs được chia thành hai gia đình: ngã ba fet (JFET) và cổng cách nhiệt fet (IGFET). IGFET thường được biết đến như là một loại kim loại-oxit-semiconductor ( sic ), phản ánh công trình gốc của nó từ các lớp kim loại (cổng), oxit (cách cách nhiệt), và semiconductor. Không giống như IGFETs, cổng JFET hình thành một p-n diode với kênh nằm giữa nguồn và thoát nước. Functionally, điều này làm cho kênh n-kênh JFET là nhà nước chắc chắn tương đương với ống hút chân không, tương tự, tạo ra một diode giữa lưới và âm cực. Ngoài ra, cả hai thiết bị hoạt động trong chế độ của, cả hai đều có một impedance đầu vào cao, và cả hai đều tiến hành hiện tại dưới sự kiểm soát của một điện áp đầu vào.
Cả hai JFET và IGFET đều hoạt động ở chế độ nào?
chế độ của