BJTs có ba nhà ga, tương ứng với ba lớp semiconductor-một bộ phát, một căn cứ, và một nhà sưu tầm. Họ rất hữu ích trong amplifiers bởi vì các dòng ở bộ sưu tập và nhà sưu tập được kiểm soát bởi một căn cứ tương đối nhỏ hiện tại. Trong một n-p-n transistor hoạt động trong khu vực đang hoạt động, ngã ba cơ sở đã được tiến lên thiên vị (electron và lỗ recombine ở ngã ba), và các electron được tiêm vào khu vực căn cứ. Bởi vì căn cứ này hẹp, hầu hết các electron này sẽ khuếch tán thành thiên vị đảo ngược (electron và lỗ được hình thành tại, và di chuyển ra khỏi ngã ba) và bị cuốn vào nhà sưu tập; có lẽ một-phần trăm của các electron sẽ recombine trong căn cứ, đó là cơ chế vượt trội trong căn cứ hiện tại. Bằng cách kiểm soát số lượng electron có thể rời khỏi căn cứ, số lượng electron vào nhà sưu tập có thể được kiểm soát. Sưu tầm hiện tại là khoảng b (tăng phổ biến hiện tại) lần căn cứ hiện tại. Nó thường là lớn hơn 100 cho các tín hiệu nhỏ nhưng có thể nhỏ hơn trong transistors được thiết kế cho các ứng dụng cao.
BJTs có bao nhiêu lớp semiconductor?
ba