Bởi vì sự di chuyển electron cao hơn sự di chuyển của lỗ cho tất cả các vật liệu bán dẫn, một sự phát triển lưỡng tính n-p-n có xu hướng nhanh chóng hơn là một thiết bị di chuyển tương đương với P-n-p. GaAs có sự di chuyển electron cao nhất của ba sic. Đó là vì lý do này mà GaAs được sử dụng trong các ứng dụng tần suất cao. Một sự phát triển của fet gần đây, các loại điện tử di động cao (HEMT), có một ' (ngã ba giữa các vật liệu semiconductor khác nhau) của nhôm gali asenua (AlGaAs)-gali asenua (GaAs) mà có hai lần di chuyển electron của một GaAs-Ngã ba kim loại. Vì tốc độ cao và tiếng ồn thấp của họ, HEMTs được sử dụng trong vệ tinh thu làm việc tại các tần suất khoảng 12 GHz. HEMTs dựa trên gali nitrua và nhôm gali nitrua (AlGaN / GaN HEMTs) cung cấp một sự di chuyển electron cao hơn và đang được phát triển cho các ứng dụng khác nhau.
Ứng dụng chung của GaAs là gì?
các ứng dụng cao cấp